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还在为寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关而烦恼吗？STH180N10F3-6就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和180A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于惊人的低导通电阻（仅4.5mΩ），能显著降低您在电源转换或电机驱动应用中的导通损耗，直接提升系统整体效率。

它采用先进的STripFET III技术，让您轻松实现高效、低温升的功率管理。无论是面对工业环境的严酷温度挑战（工作结温高达175°C），还是需要处理高达315W的功率耗散，它都能稳健应对。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲、可靠的心脏，让功率路径更顺畅，性能释放更彻底。

• 型号:STH180N10F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH180N10F3-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。