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您正在设计下一代高效能电源或电机驱动方案吗？STH175N4F6-6AG正是为您而生的功率开关利器。这颗N沟道MOSFET拥有120A的连续电流处理能力和低至2.4毫欧的导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接提升终端产品的续航和性能表现。

它基于先进的STripFET F6技术，并符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C至175°C的严酷温度范围内稳定工作。无论是用于车载充电器、DC-DC转换还是电机控制，它都能提供可靠的功率切换。其优化的栅极特性让驱动设计更简单，帮助您轻松实现快速开关，从而构建出更紧凑、更高效的电力电子系统。

• 型号:STH175N4F6-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH175N4F6-6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。