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还在为高压开关应用的效率与散热问题头疼吗？让STH15NB50FI来为您轻松化解。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和10.5A的连续电流能力，是您构建高效、紧凑型功率电路的理想选择。

它采用先进的PowerMESH技术，能显著降低导通电阻（典型值仅360毫欧），从而大幅减少开关损耗和热量产生，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。其独特的ISOWATT-218封装集成了卓越的电气隔离性能，为您提供更高的系统安全性和可靠性保障。无论是提升能效还是简化散热设计，STH15NB50FI都能让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STH15NB50FI
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOWATT-218
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:ISOWATT-218
• 封装/外壳:ISOWATT-218-3
• STH15NB50FI，ST（意法半导体）产品一站式供应商。