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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STH150N10F7-2为您带来颠覆性的改变。这颗采用STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和110A的连续电流能力，其超低的3.9毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能源效率。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能够采用更高的开关频率，从而缩小磁性元件的体积，优化整体系统成本与尺寸。无论是用于电机驱动、DC-DC转换还是电源开关，STH150N10F7-2都能提供稳定、高效的功率处理能力，助您打造出更节能、更紧凑、性能更强劲的下一代产品。

• 型号:STH150N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH150N10F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。