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还在寻找那颗能扛起大电流、却又冷静非凡的“核心开关”吗？STH145N8F7-2AG正是您的答案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，能在80V电压下轻松驾驭90A的连续电流，而其导通电阻低至惊人的4毫欧，直接将导通损耗大幅削减，让您的电源或电机驱动系统效率飙升，运行起来更加清凉安静。

它专为应对严酷挑战而设计。符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至175°C，无论是新能源汽车的电动心脏，还是工业自动化设备的强力臂膀，它都能稳定可靠地工作。其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关性能，让您的控制环路响应更迅捷，设计更轻松。

选择STH145N8F7-2AG，您获得的不仅是一个高性能晶体管，更是一个提升产品竞争力、降低系统复杂度的关键钥匙。它将帮助您打造出更高效、更紧凑、更可靠的下一代功率电子产品。

• 型号:STH145N8F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH145N8F7-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。