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还在寻找能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STH140N8F7-2正是您期待的答案。这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，能在80V电压下持续输送高达90A的电流，而其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅4毫欧。这意味着它能大幅降低您在开关电源、电机驱动等应用中的导通损耗，直接提升系统能效，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作变得轻松高效。优化的栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，简化驱动电路设计。结合H2PAK-2封装出色的散热能力和高达200W的功率处理上限，它为您提供了坚实的可靠性保障，轻松应对高功率密度设计的挑战。选择STH140N8F7-2，就是为您的核心功率电路注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STH140N8F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH140N8F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。