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还在为高压应用中的功率损耗和散热挑战头疼吗？STFW45N65M5正是您期待的答案。这颗来自意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和35A的强大电流处理能力，其超低的78毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源转换效率轻松迈上新台阶。

更令人惊喜的是，它优化的动态特性（如仅82nC的栅极电荷）能大幅降低开关损耗，配合ISOWATT封装卓越的散热性能，让您的系统即使在高温高负载下也能稳定高效运行。选择它，就是选择了一种让设计更简单、让产品更可靠、让能效表现更出众的智能方案。

• 型号:STFW45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3470 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW45N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。