我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STH12N120K5-2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理高压、大功率的电路吗？STH12N120K5-2就是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh K5系列的N沟道MOSFET，拥有1200V的惊人耐压和12A的连续电流能力，让您能轻松驾驭工业驱动、太阳能逆变等高要求应用，而无需担心电压击穿或功率瓶颈。

它的核心价值在于卓越的效率。通过优化的技术，它在保持极低导通电阻（仅690毫欧）的同时，还拥有超低的栅极电荷。这意味着它能大幅降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行得更凉爽、更节能，直接将性能优势转化为产品的市场竞争力。

此外，其坚固的H2PAK-2封装确保了出色的散热和可靠性，宽达-55°C至150°C的工作温度范围让它无惧各种严苛环境。选择STH12N120K5-2，就是选择让您的设计更高效、更可靠、更省心。

• 型号:STH12N120K5-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH12N120K5-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。