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您是否希望为您的功率转换系统注入一颗兼具强大动力与聪慧能效的“芯”？STGWT40HP65FB正是您的理想之选。这颗650V/80A的沟槽型场截止IGBT，凭借仅2V的低导通压降，能显著降低您系统的导通损耗，直接提升整体能效，让您的设备运行更“冷静”、更省电。

它不仅能轻松应对高达160A的瞬时脉冲电流，确保驱动平稳有力，其优化的开关特性（关断延迟142ns）更能有效降低开关损耗，让您实现更高频率的设计，从而优化系统体积与成本。无论是驱动电机、转换太阳能，还是保障关键电力供应，STGWT40HP65FB都能以卓越的可靠性和高达175°C的结温工作能力，助您构建更高效、更坚固的电力核心。

• 型号:STGWT40HP65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:363J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:210 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/142ns
• 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT40HP65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。