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STGFW30V60DF 零件图片(仅供参考)

STGFW30V60DF
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STGFW30V60DF 规格参数

还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗?让意法半导体的STGFW30V60DF来为您破局!这颗600V/60A的沟槽型场截止IGBT,专为高效、可靠的功率开关应用而生。

它能让您轻松驾驭变频器、UPS和焊接设备等高要求场景。其低至2.3V的导通压降和优化的开关特性(开通45ns/关断189ns),显著降低了功耗与发热,直接提升您的系统整体能效。同时,高达175°C的结温工作范围和坚固的TO-3PF封装,确保了它在恶劣环境下依然稳定运行,大大增强了产品的耐用性。

选择STGFW30V60DF,就是选择用一颗高度集成的强大心脏,为您的电力电子设备注入持久、高效的能量,简化设计,赋能创新。

  • 型号:STGFW30V60DF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3PF
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3PF
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:58 W
  • 开关能量:383J(导通),233J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:163 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:45ns/189ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):53 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-3PF
  • STGFW30V60DF,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

STGFW30V60DF 基本参数:

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