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还在为寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的800V级功率开关而烦恼吗？STH10N80K5-2AG正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和8A的强大电流处理能力，其核心魅力在于仅680毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的H2PAK-2封装，不仅功率密度出众，更便于您进行自动化贴装生产，提升制造效率。更重要的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，历经严苛验证，确保从-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了高效能与高可靠性的双重基因，轻松应对工业电源、汽车电气化等领域的严峻挑战。

• 型号:STH10N80K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2Pak-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:680 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:426 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:121W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2Pak-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH10N80K5-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。