我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGWT80V60F现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的核心开关器件吗？STGWT80V60F正是您的理想答案。这颗600V、120A的沟槽场截止型IGBT，拥有高达469W的功率处理能力，能轻松应对变频器、电机驱动和电源等应用中的大电流开关挑战。

它的卓越之处在于超低的导通损耗（Vce(on)仅2.3V@80A）与优化的开关特性（开关能量低至1.8mJ/1mJ），让您的系统运行更高效、发热更少。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的TO-3P封装，进一步确保了其在恶劣环境下的长期可靠性，让您设计更省心，产品更具竞争力。

• 型号:STGWT80V60F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:1.8mJ（导通），1mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:448 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT80V60F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。