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您是否希望为您的电源或驱动系统找到一颗动力澎湃且高效节能的“心脏”？STGWT80H65DFB正是这样一款卓越的650V/120A IGBT，它专为 demanding 应用而设计。

它采用先进的沟槽型场截止技术，能显著降低导通损耗（Vce(on)低至2V @ 80A），让您的系统运行更凉爽、能效比更高。高达469W的功率处理能力和优异的开关特性（开关能量低），让您轻松实现高效率的功率转换与电机控制。

无论是工业变频器、UPS还是新能源逆变器，STGWT80H65DFB都能提供稳定可靠的性能，其宽工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的TO-3P封装，确保您的产品在各种环境下都能长效稳定运行。

• 型号:STGWT80H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT80H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。