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您正在寻找一颗能扛起高效功率转换重任的核心器件吗？STGWT30H65FB正是您期待的答案。这颗650V/30A的沟槽场截止型IGBT，凭借仅2V的低饱和压降，能显著降低导通损耗，直接提升您的电机驱动、UPS或太阳能逆变器的整体能效，让宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非白白浪费。

它拥有高达260W的功率处理能力和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，让您的设备在面对浪涌电流和高温环境时依然坚若磐石。其优化的开关特性（151J开启，293J关断）与标准输入类型，让驱动电路设计变得简单高效。选择STGWT30H65FB，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏，轻松应对严苛的工业应用挑战。

• 型号:STGWT30H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:260 W
• 开关能量:151J（导通），293J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:149 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT30H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。