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您正在寻找一颗能同时征服高压与高效率挑战的功率开关吗？STF12N65M5正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和8.5A的强大电流处理能力，专为要求严苛的开关电源和电机控制应用而设计。

它的核心使命是让您的系统运行得更“冷静”、更高效。极低的430毫欧导通电阻能大幅削减导通损耗，而超小的栅极电荷则确保了迅猛的开关速度，从而整体降低系统功耗与温升。这意味着您可以轻松实现更高的功率密度，或者为现有设计预留更充裕的 thermal 裕量，显著提升产品的长期可靠性。

无论是工业电源、PC电源还是照明驱动，选择STF12N65M5，就是选择了一种经过优化的高性能解决方案。它让您能够以更简洁的设计，达成更卓越的能效目标，助力您的产品在市场中赢得关键优势。

• 型号:STF12N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-5 整包
• STF12N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。