我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB33N60DM2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时驾驭高压与大电流，且开关性能出色的功率开关？STB33N60DM2正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和24A的连续电流能力，其核心的MDmesh DM2技术为您带来低至130毫欧的导通电阻，让您轻松实现更高的能源转换效率，显著降低系统发热。

它卓越的开关特性极低的栅极电荷与输入电容，让高频开关操作变得干净利落，帮助您优化磁性元件设计，实现电源产品的小型化与轻量化。高达190W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行。选择它，就是为您的服务器电源、工业驱动或照明系统注入一颗强劲而高效的“芯”。

• 型号:STB33N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB33N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。