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想象一下，一颗芯片就能让您的功率系统同时拥有强劲动力与冷静高效。STGWA50M65DF2正是为此而生。它集成了650V/80A的高功率处理能力，配合其先进的沟槽型场截止技术，能显著降低导通与开关损耗，直接为您带来更高的能源转换效率和更低的系统发热。

这颗芯片能让您轻松应对严苛的工业环境。其高达175°C的结温工作上限和坚固的TO-247封装，确保了卓越的可靠性与散热性能。无论是驱动电机、转换太阳能，还是保障关键电源，它都能稳定输出，让您的设计更高效、更可靠，从容应对各种挑战。

• 型号:STGWA50M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:880J（导通），1.57mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:150 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/130ns
• 测试条件:400V，50A，6.8 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):162 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA50M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。