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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，且能效出众的功率开关器件吗？STGWA40N120KD正是为您而来的解决方案。这颗1200V/80A的IGBT，凭借其仅3.85V的低导通压降，能显著减少功率损耗，让您的电源或驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了优化的开关特性，开启和关断过程迅速而干净，开关能量低至3.7mJ（开）和5.7mJ（关），这直接帮助您提升系统工作频率，并降低电磁干扰。无论是驱动工业电机，还是构建可靠的太阳能逆变器，它都能提供稳定、强劲的动力核心，让您的设计轻松应对高功率密度挑战。

• 型号:STGWA40N120KD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 80A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.85V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:240 W
• 开关能量:3.7mJ（导通），5.7mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:126 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:48ns/338ns
• 测试条件:960V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):84 ns
• 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGWA40N120KD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。