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您正在寻找一颗能驱动高频射频系统强劲心脏吗？PD54008S-E正是这样一款解决方案。它能让您在500MHz的中心频率上，轻松获得高达8W的射频功率输出，并以11.5dB的优秀增益确保信号放大高效而纯净。

这颗采用LDMOS技术的射频FET，在7.5V电压下工作，具备25V的高耐压和5A的电流能力，为您的高要求应用提供了坚实的可靠性基础。其PowerSO-10封装配合裸露焊盘，让散热管理变得更为高效，助您构建更紧凑、更可靠的射频功放模块，无论是用于通信基站还是工业射频能量系统，都能让您的产品性能稳居前列。

• 型号:PD54008S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:11.5dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:8W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD54008S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。