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您是否希望为您的功率转换系统找到一颗既能承受高压大电流冲击，又能保持高效冷静的“强力心脏”？STGWA30H60DFB正是这样一款解决方案。它集成了600V击穿电压和60A额定电流的强大处理能力，配合其先进的沟槽型场截止技术，能显著降低导通损耗，让您的电机驱动、UPS或太阳能逆变器运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片卓越的开关性能（低开关能量与快速开关时间）让您轻松应对高频应用挑战，最大化系统能效。其坚固的TO-247封装和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，确保了在各种苛刻环境下的长期可靠运行。选择STGWA30H60DFB，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重保障。

• 制造商产品型号：STGWA30H60DFB
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IGBT
• 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
• 产品系列：HB
• 零件状态：有源
• IGBT类型：沟槽型场截止
• 电压-集射极击穿（最大值）：600V
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
• 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
• 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
• 功率-最大值：260W
• 开关能量：383J（开），293J（关）
• 输入类型：标准
• 栅极电荷：149nC
• 25°C时Td（开/关）值：37ns/146ns
• 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间(trr)：53ns
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 封装：TO-247-3
• STGWA30H60DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。