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还在为电源转换效率不高而烦恼吗？STB9NK60ZT4 N沟道功率MOSFET正是您提升系统性能的得力助手。它基于ST先进的SuperMESH技术打造，拥有600V的漏源击穿电压和7A的连续漏极电流能力，让您能够轻松驾驭开关电源、电机控制等高要求应用场景。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。它具备极低的导通电阻（典型值）和优化的动态特性，能显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统效率，并减少散热设计压力。其坚固的D2PAK封装确保了出色的功率处理能力和热可靠性，让您的产品设计更紧凑、运行更稳定。选择STB9NK60ZT4，就是选择了一个高效、可靠的能量开关核心，助您打造更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STB9NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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