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还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？STGW75M65DF2正是您期待的解决方案。这颗650V/120A的沟槽场截止IGBT，凭借仅2.1V的低导通压降和极低的开关损耗，能显著降低系统发热，直接提升整机效率，让您的变频器、UPS或光伏逆变器运行得更冷静、更节能。

它集高电流能力、快速开关与卓越的鲁棒性于一身。高达225A的脉冲电流和宽达-55°C至175°C的工作结温，让您轻松应对负载突变与严苛环境挑战。采用坚固的TO-247封装，确保长期可靠运行。选择STGW75M65DF2，就是为您的核心功率平台注入高效与可靠的基因，助您打造领先市场的产品。

• 型号:STGW75M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A
• 功率 - 最大值:468 W
• 开关能量:690J（导通），2.54mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:225 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/125ns
• 测试条件:400V，75A，3.3 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):165 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW75M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。