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您正在寻找一颗能扛起高功率重任，同时保持冷静与高效的核心开关器件吗？STGW60H65DRF正是为您而来！这颗650V/120A的沟槽型场截止IGBT，以其2.4V的低Vce(on)和高达420W的功率处理能力，让您轻松实现更低的系统导通损耗和更高的功率密度。

它具备快速的开关响应（开关能量仅940J/1.06mJ）和出色的热性能（结温高达175°C），能显著提升变频驱动、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等应用的效率与可靠性。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲、可靠且高效的“芯”，助您轻松应对严苛的能效挑战。

• 型号:STGW60H65DRF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:420 W
• 开关能量:940J（导通），1.06mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:217 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns
• 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):19 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW60H65DRF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。