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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率、高可靠性和快速开关的功率开关器件吗？STGW60H65DF正是为您而来。这颗650V/120A的沟槽型场截止IGBT，凭借仅1.9V的低Vce(on)和超低的开关能量，能显著降低您的系统导通与开关损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器应用运行得更凉爽、更高效。

它集成了快速恢复二极管，反向恢复时间仅62ns，配合优化的栅极电荷，让您轻松实现更高频率的开关设计，同时保持出色的电磁兼容性。其坚固的TO-247封装和高达150°C的结温工作能力，确保了它在严苛环境下的长期稳定运行，为您产品的耐用性保驾护航。

• 型号:STGW60H65DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:360 W
• 开关能量:1.5mJ（导通），1.1mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:206 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:67ns/165ns
• 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):62 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW60H65DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。