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还在寻找一颗能兼顾高效率、低损耗与紧凑尺寸的P沟道MOSFET吗？STS10P3LLH6正是您的理想答案。它基于先进的STripFET H6技术打造，拥有30V/10A的强劲规格，其超低的12毫欧导通电阻能大幅减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的负载开关、电机控制或DC-DC转换电路效率飞升。极低的栅极电荷（33nC）确保了快速的开关速度和极低的驱动损耗，轻松应对高频应用。采用节省空间的8-SO封装，帮助您实现更小巧、更集成的产品设计。选择STS10P3LLH6，就是选择了一条通往更高性能、更可靠电源管理的捷径。

• 型号:STS10P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS10P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。