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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，且运行高效、稳定的功率开关芯片吗？STGW40M120DF3正是为您而来的解决方案。这颗1200V、80A的沟槽场截止型IGBT，拥有仅2.3V的低导通压降和高达468W的功率处理能力，能显著降低系统导通与开关损耗，直接提升整机效率，并帮助您简化散热设计。

它能让您的光伏逆变器、电机驱动、UPS等设备运行得更冷静、更持久。其优异的开关特性（开关能量低至1.5mJ/2.25mJ）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保您的产品在面对剧烈负载变化和恶劣环境时，依然表现稳健可靠。选择它，就是为您的核心功率模块注入一颗高效而强大的心脏。

• 型号:STGW40M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:468 W
• 开关能量:1.5mJ（导通），2.25mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:125 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns
• 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):355 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW40M120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。