我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP3LN62K3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关性能的“心脏”吗？STP3LN62K3正是为您而来。这颗采用意法半导体先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高压阻断能力和仅3欧姆的低导通电阻，能显著降低您在开关电源、照明驱动等应用中的导通与开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它集成了多项优化特性：极低的栅极电荷助力实现快速开关，减少驱动损耗；高达150°C的结温工作范围确保其在严苛环境下稳定可靠；经典的TO-220封装则提供了出色的散热性能和便捷的装配体验。选择它，就是为您的功率电路注入一颗强劲而可靠的芯，轻松应对各种中低功率挑战，提升产品整体竞争力。

• 型号:STP3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3LN62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。