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STTH4R06DEE-TR 零件图片(仅供参考)

STTH4R06DEE-TR
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STTH4R06DEE-TR 规格参数

还在为电源效率难以突破而困扰吗?STTH4R06DEE-TR就是您期待的答案。这颗由ST意法半导体出品的4A、600V快速恢复整流二极管,专为高效能、高频率的电源应用而优化。它凭借仅50ns的超快反向恢复时间,能显著降低开关损耗,让您的开关电源、PFC电路或电机驱动系统运行得更凉爽、更安静,整体能效轻松跃升新台阶。

它不仅能处理高达4A的平均整流电流,其低至1.7V的正向导通压降进一步减少了能量浪费。采用先进的PowerFlat超薄封装,让您在设计紧凑型产品时游刃有余,轻松实现高功率密度布局。选择它,就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

  • 型号:STTH4R06DEE-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat(3.3x3.3)
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 600V 4A POWERFLAT
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):4A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 4 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):50 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 600 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerFlat(3.3x3.3)
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • STTH4R06DEE-TR,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

STTH4R06DEE-TR 基本参数:

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