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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持高效、可靠运行的功率开关核心？STGW40H120F2正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的1200V/40A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能为您显著降低导通损耗，其低至2.6V的饱和压降让电能转换更加高效，从而帮助您的系统节省宝贵的能源。

它卓越的开关特性（开启能量仅1mJ）让您能够轻松设计出响应更快、电磁干扰更小的电源与驱动电路。无论是工业电机驱动、太阳能逆变还是UPS系统，STGW40H120F2都能凭借其高达175°C的结温能力和稳健的TO-247封装，确保您的产品在严苛环境下长期稳定运行，大幅提升最终产品的市场竞争力与客户满意度。

• 型号:STGW40H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:468 W
• 开关能量:1mJ（导通），1.32mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:158 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns
• 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW40H120F2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。