我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGW40H120DF2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压大功率设计的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STGW40H120DF2来为您破局！这颗来自意法半导体的1200V/40A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能为您实现高效的电能转换与精准的功率控制。

它拥有低至2.6V的导通压降和优化的开关能量，能显著降低系统运行中的导通与开关损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。高达468W的功率处理能力和宽达-55°C至175°C的工作结温，确保它在严苛环境下依然稳定可靠，轻松应对工业驱动、新能源逆变等挑战性应用，助您打造性能强劲、极具竞争力的下一代产品。

• 型号:STGW40H120DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:468 W
• 开关能量:1mJ（导通），1.32mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:187 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns
• 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):488 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW40H120DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。