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您是否希望为您的下一代高压电源或驱动系统注入一颗强劲而高效的“心脏”？STGW28IH125DF正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的1250V/60A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能够轻松处理高达375W的功率，让您在高电压转换和大电流控制应用中游刃有余。

它不仅仅是一个开关，更是一个效率提升的引擎。其低至2.5V的导通压降和优化的开关特性，显著降低了能量损耗，直接帮助您的系统运行得更凉爽、更持久。无论是面对工业电机的频繁启停，还是太阳能逆变器的持续能量转换，它都能提供稳定可靠的表现。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的性能基石。

• 型号:STGW28IH125DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 60A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:720J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:114 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/128ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW28IH125DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。