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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且保持冷静高效的功率核心吗？STGW25M120DF3正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的1200V/50A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能为您提供低至2.3V的导通压降和极快的开关速度，显著降低系统损耗与发热，让您的电源转换或电机驱动方案效率跃升新台阶。

它拥有高达375W的功率处理能力和175°C的宽工作结温范围，配合TO-247封装优异的散热特性，确保您的设备即使在最苛刻的工业环境中也能稳定运行，大幅提升产品可靠性。无论是简化散热设计、缩小体积，还是追求极致的能效表现，STGW25M120DF3都能让您的设计目标轻松实现。

• 型号:STGW25M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:850J（导通），1.3mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:85 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/150ns
• 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):265 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW25M120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。