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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、高效率与高可靠性的功率开关芯片吗？STGW25H120F2正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的1200V/25A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能显著降低导通损耗（Vce(on)典型值仅2.6V），让您的电源或驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有高达375W的功率处理能力和100A的脉冲电流能力，轻松应对浪涌冲击。优化的开关特性（开关能量低至600J/700J）意味着更低的开关损耗，让您能够提升系统工作频率，从而设计出更紧凑、更具成本效益的产品。无论是工业电机、太阳能逆变器还是UPS系统，它都能助您一臂之力，实现性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STGW25H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:600J（导通），700J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:100 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW25H120F2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。