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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，并保持超低损耗与快速响应的功率开关吗？STGW25H120DF2正是为您而来！这颗1200V/25A的沟槽场截止型IGBT，凭借仅2.6V的低导通压降和优化的开关特性，能显著降低您的系统发热与能量损耗，让您的电机驱动、光伏逆变或UPS电源运行得更凉爽、更高效。

它拥有高达375W的功率处理能力和175°C的结温上限，配合经典的TO-247封装，为您提供强大的过载余量和可靠的散热性能。无论是应对严苛环境还是追求极限能效，STGW25H120DF2都能让您的设计轻松实现性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STGW25H120DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:600J（导通），700J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:100 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):303 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW25H120DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。