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STGW20NB60KD 零件图片(仅供参考)

STGW20NB60KD
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STGW20NB60KD 规格参数

您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任、同时保持高效稳定的“心脏”吗?STGW20NB60KD正是为此而来。这颗600V/50A的IGBT,集成了意法半导体先进的PowerMESH技术,最大功率高达170W。它能让您轻松驾驭电机驱动、电源转换等应用中的大电流,其低至2.8V的饱和压降意味着更低的导通损耗,直接为您节省能源成本,并简化散热设计。

更令人印象深刻的是它的开关性能。优化的开关能量与快速的反向恢复时间,显著降低了开关过程中的功率损耗,让您的系统运行得更凉爽、更高效。无论是应对频繁启停的工业工况,还是需要持续可靠供电的能源系统,它都能提供强劲而平稳的动力输出。选择它,就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

  • 型号:STGW20NB60KD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 50A TO-247-3
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值:170 W
  • 开关能量:675J(导通),500J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:85 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:39ns/105ns
  • 测试条件:480V,20A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):80.5 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • STGW20NB60KD,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGW20NB60KD 基本参数:

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