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当您的设计需要驾驭强大的电流时，STB200NF04-1就是您值得信赖的伙伴。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的120A连续电流处理能力，而其核心魅力在于仅3.7毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

得益于STripFET II技术和稳健的I2PAK封装，它能在高达175°C的结温下稳定工作，轻松应对高功率密度设计的散热挑战。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，STB200NF04-1都能为您提供坚实的硬件基础，助您轻松实现更卓越的产品性能。

• 型号:STB200NF04-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB200NF04-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。