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您正在寻找一颗能扛起大梁、驱动未来的核心功率开关吗？STGW20H65FB正是这样一位“实力派”。它集650V耐压、40A持续电流与80A脉冲电流能力于一身，采用先进的沟槽场截止技术，能为您大幅降低导通损耗，将更多电能高效转化为输出，直接助力您的产品提升能效等级，减少散热设计压力。

这颗芯片能让您的设计更从容。其优异的开关特性（低开关能量与快速的开关时间）意味着更低的开关损耗和更柔和的开关噪声，让您轻松优化系统EMI性能，并有机会使用更高的开关频率来减小无源元件体积，从而实现更紧凑、更具成本优势的电源或驱动方案。无论是工业电机驱动、太阳能逆变还是UPS系统，它都能提供稳定、强健的动力核心，确保您的设备在-55°C至175°C的宽广温度范围内可靠运行。

• 型号:STGW20H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:168 W
• 开关能量:77J（导通），170J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:120 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW20H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。