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还在为如何平衡电源设计的效率、尺寸与成本而烦恼吗？让STB23NM60N来为您提供卓越的解决方案！这颗基于MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和19A的电流处理能力，其核心价值在于仅180毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著降低开关过程中的功率损耗，直接将更高的电能效率注入您的系统，让您的设备运行更凉爽、更节能。

同时，其优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，让开关动作更加迅速、干净，有助于简化您的驱动电路设计，并提升系统的整体电磁兼容性（EMC）表现。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，STB23NM60N都能让您轻松构建出高效、紧凑且可靠的电源架构，助您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STB23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB23NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。