我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD12NM50ND现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压电源的效率和散热头疼吗？让STD12NM50ND来为您分忧！这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，是您构建高效、紧凑功率系统的核心之选。

它拥有500V的高耐压和11A的连续电流处理能力，配合仅380毫欧的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动方案运行更凉爽、能效更高。其优化的动态特性（如低栅极电荷）让开关更迅捷，而DPAK封装则确保了出色的散热性能，助您轻松应对严苛的工业环境挑战。

• 型号:STD12NM50ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12NM50ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。