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您正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的中功率开关器件吗？STGP5H60DF正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的600V/10A沟槽型场截止IGBT，凭借其低至1.95V的饱和压降，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升产品能效等级。

它不仅仅高效，更拥有令人放心的坚固性。高达175°C的结温工作范围和88W的功率处理能力，确保它在严苛环境下依然稳定工作。同时，优化的开关特性（开启/关断延迟短，开关能量低）让您能轻松实现更高频率的设计，从而减小系统中磁性元件的体积和成本。选择STGP5H60DF，就是选择了一个让设计更简单、让产品更具竞争力的高效解决方案。

• 型号:STGP5H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:43 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
• 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP5H60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。