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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高频的强力开关吗？STF5N52U N沟道MOSFET正是您的理想之选。它凭借525V的高耐压和4.4A的电流能力，让您在设计开关电源、照明驱动或电机控制应用时底气十足。

这颗芯片的核心价值在于其UltraFASTmesh技术，它能显著降低导通电阻和栅极电荷。这意味着您可以轻松获得更低的导通损耗与开关损耗，从而提升整体系统效率，并减少散热设计的压力。其坚固的TO-220FP封装和宽泛的工作温度范围，进一步确保了它在各种环境下的高效与可靠运行。

• 型号:STF5N52U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N52U，ST（意法半导体）产品一站式供应商。