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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、低损耗和卓越可靠性的650V级功率开关吗？STGP4M65DF2正是为此而来。这颗来自意法半导体M系列的低损耗IGBT，旨在让您的电源转换、电机驱动等应用运行得更顺畅、更节能。

它凭借仅2.1V的低导通压降和优化的开关特性（开启能量40J，关断能量136J），能显著降低系统的导通与开关损耗，从而提升整体能效，并简化散热设计。高达8A的连续电流和16A的脉冲电流能力，为您提供充沛的动力支持。其坚固的650V耐压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在各种严苛环境下稳定工作，让您轻松构建高效、可靠的高性能功率系统。

• 型号:STGP4M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A
• 功率 - 最大值:68 W
• 开关能量:40J（导通），136J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:15.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
• 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):133 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP4M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。