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规格参数
制造商产品型号:STGP3NB60HD制造商:STMicroelectronics描述:IGBT 600V 10A 50W TO220系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:PowerMESH?零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):10A电流-集电极脉冲(Icm):24A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,3A功率-最大值:50W开关能量:33μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:21nC25°C时Td(开/关)值:5ns/53ns测试条件:480V,3A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):45ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3STGP3NB60HD,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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