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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热挑战发愁吗？让STP28N65M2为您提供一站式的高效解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh M2家族的650V/20A N沟道MOSFET，凭借其革命性的多漏极网格技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的卓越平衡。

这意味着它能显著降低您在开关电源、电机驱动或PFC电路中的导通损耗和开关损耗，直接提升系统整体能效，让热量产生更少，散热设计更轻松。其坚固的TO-220封装和高达170W的耗散能力，确保您即使在严苛环境下也能获得稳定可靠的性能表现，让您的产品在市场中更具竞争力。

• 型号:STP28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。