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您正在设计需要处理高功率、追求高效率的电机驱动或电源系统吗？STGFW40V60DF正是为您而来的解决方案。这颗600V/80A的沟槽场截止型IGBT，凭借仅2.3V的低导通压降和优化的开关特性，能显著降低系统运行中的能量损耗，让您的设备更凉爽、更节能。

它不仅能轻松应对高达160A的脉冲电流冲击，确保系统稳定可靠，其快速的开关速度（低开关能量）还能帮助您提升开关频率，从而缩小磁性元件体积，实现更高功率密度的紧凑设计。从工业变频器到太阳能逆变器，选择它，就是选择了一条通往高效、稳健产品设计的捷径。

• 型号:STGFW40V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PF-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:62.5 W
• 开关能量:456J（导通），411J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:226 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns
• 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):41 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3PFM，SC-93-3
• 供应商器件封装:TO-3PF-3
• STGFW40V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。