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STGFW40H65FB 零件图片(仅供参考)

STGFW40H65FB
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STGFW40H65FB 规格参数

您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、强驱动和卓越可靠性的功率开关芯片吗?STGFW40H65FB正是为您而来。这颗650V沟槽场截止型IGBT,拥有高达80A的连续电流和160A的脉冲电流能力,让您的电机驱动、UPS或光伏逆变器轻松应对重载挑战,运行更加稳健有力。

它的核心价值在于极低的损耗。2V的低导通压降与优化的开关特性(开/关延迟仅40ns/142ns),能显著降低系统的整体功耗与发热,让您的设备能效更高,散热设计更简单。采用坚固的TO-3P封装,结合-55°C至175°C的宽广工作结温,确保了其在各种恶劣环境下都能长期可靠工作,极大提升了您最终产品的耐用性和市场竞争力。

  • 型号:STGFW40H65FB
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3PF-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PF-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值:62.5 W
  • 开关能量:498J(导通),363J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:210 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/142ns
  • 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-3PF-3
  • STGFW40H65FB,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGFW40H65FB 基本参数:

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