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还在为高压大电流应用中的效率损失和散热难题而烦恼吗？让STW15NK50Z为您开启高效动力新篇章！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的耐压和14A的连续电流能力，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它能让您的开关电源设计更紧凑、更安静，让电机驱动更强劲、更可靠。优异的开关特性与热性能，确保它在严苛环境下依然稳定工作，大幅简化您的热管理设计。选择它，就是选择了一个经久耐用、性能卓越的功率核心，轻松助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STW15NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW15NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。