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您正在寻找一颗能扛起大电流、实现高效开关的功率“心脏”吗？STB60NF06T4正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有60V/60A的强悍规格，其核心使命就是让您的电源转换和电机驱动系统运行得更冷静、更高效、更可靠。

它凭借意法半导体先进的STripFET II技术，将导通电阻降至惊人的16毫欧（@10V，30A），大幅降低导通损耗，直接转化为更少的发热和更高的系统能效。同时，极低的栅极电荷（66nC @10V）确保了快速的开关速度，让您在追求高频高效设计时游刃有余。其坚固的D2PAK封装和宽工作温度范围（-65°C ~ 175°C），更能轻松应对各种严苛环境挑战。

简而言之，STB60NF06T4能为您做的，就是用一流的性能参数，简化您的设计难度，提升终端产品的功率密度、效率与可靠性，让您轻松打造出更具市场竞争力的电源与驱动解决方案。

• 型号:STB60NF06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB60NF06T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。