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您正在为寻找一颗能同时驾驭高效能与高可靠性的功率开关而烦恼吗？STGF6M65DF2正是为您而来的解决方案。这颗650V、12A的沟槽型场截止IGBT，凭借仅2V的低导通压降和优化的开关特性（36J开启能量），能显著降低您系统中的开关损耗和导通损耗，直接提升整体能效，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对电机驱动、电源转换等应用中的高压大电流挑战。其坚固的TO-220FP封装和高达175°C的工作结温，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行，大幅提升了产品的耐用性和可靠性。选择STGF6M65DF2，就是为您的核心电路选择一个高效、可靠的能量控制枢纽，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STGF6M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
• 功率 - 最大值:24.2 W
• 开关能量:36J（导通），200J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:21.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns
• 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
• STGF6M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。