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还在为高压应用的开关损耗和可靠性头疼吗？让STP5N105K5来为您分忧！这颗基于先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有1050V的超高耐压和3A的电流处理能力，专为要求苛刻的高压开关场景而生。

它能为您做什么？核心在于其卓越的性能平衡：仅3.5欧姆的低导通电阻大幅降低传导损耗，而12.5nC的极低栅极电荷则显著提升了开关速度、减少了开关损耗。这意味着您的电源或电机驱动系统将运行得更凉爽、更高效。TO-220封装确保了出色的散热能力，让您轻松应对高达85W的功率耗散，在-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定工作，极大地提升了系统可靠性和寿命。

• 型号:STP5N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:210 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。